Корпорация Samsung Electronics представит на CES 2018 первую микросхему памяти GDDR6, которая будет использоваться в графических ускорителях следующего поколения.
Новый чип носит маркировку K4ZAF325BM-HC14, характеризуется емкостью 2 ГБ со скоростью передачи данных 16 Гбит/с и в своей категории был удостоен награды «Лучшая инновация CES 2018», передает СобКор.
Память GDDR6 является «самой быстрой и наиболее энергоэффективной DRAM для графических решений следующего поколения». Упомянутая двухгигабайтная микросхема обеспечивает скорость передачи данных в 16 Гбит/с в расчете на один вывод и работает с напряжением 1,35 В.
Использование микросхем GDDR6 в видеоускорителях с 256-разрядной шиной позволит увеличить пропускную способность памяти (ПСП) до 512 Гбайт/с или до 768 Гбайт/с в топовых адаптерах с 384-битной шиной памяти. Для сравнения, видеоускоритель Nvidia Titan Xp, располагающий 12 гигабайтами GDDR5X с эффективной частотой 11,4 ГГц, обладает ПСП около 548 ГБ/с.
К сожалению, в настоящее время неизвестно, когда именно южнокорейский гигант планирует запустить массовое производство новых микросхем.
Новости по теме: Современные технологии развиваются с каждым днем и вот уже одна из самых знаменитых компаний по производству флеш-накопителей Kingston может похвастаться своим достижением - максимальный размер памяти во флешках достиг двух терабайтов.